Основные параметры
| Тип памяти | DDR3 SDRAM |
| Объём | 8 ГБ |
| Форм-фактор | DIMM 240-pin |
| Коррекция ошибок | ECC (Error Correcting Code) |
| Буферизация | Unbuffered (без регистровой буферизации) |
Частотные и скоростные параметры
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | PC3-12800 (12800 МБ/с) |
| Скорость передачи данных | 1600 MT/s |
| Тактовая частота чипов | 800 МГц |
Тайминги
| CAS Latency (CL) | 11 |
| tRCD | 11 |
| tRP | 11 |
| Профиль таймингов | 11-11-11 |
Физические и электрические параметры
| Напряжение питания | 1.5 В (диапазон 1.425–1.575 В) |
| Организация | 2Rx8 (двухранговая, ширина чипа x8) |
| Разрядность шины данных | 1G × 72 бит |
| Количество чипов | 18 шт (512M × 8-бит FBGA) |
| Количество банков | 8 независимых внутренних банков |
| Количество контактов | 240 |
Стандарты и совместимость
| Стандарт | JEDEC DDR3-1600 |
| Программирование SPD | JEDEC DDR3-1600, 11-11-11 при 1.5 В |
| Термодатчик | Есть (Thermal Sensor) |