Полупроводниковое устройство хранения данных стандарта DDR3 SDRAM обеспечивает высокоскоростной обмен информацией в цифровых схемах. Чип плотностью 4 Гбит организован как 512Mx8, что оптимизирует разводку печатной платы в компактных устройствах. Рабочее напряжение 1.35 В снижает энергопотребление и тепловыделение по сравнению со стандартными модулями 1.5 В. Компонент совместим с контроллерами памяти, поддерживающими режим DDR3L, что расширяет возможности модернизации существующих проектов. Корпус FBGA с 96 контактами предназначен для поверхностного монтажа и обеспечивает надежное соединение в условиях вибрации. Применяется в сетевом оборудовании, промышленных контроллерах и потребительской электронике. Технические параметры соответствуют спецификациям SK Hynix для серий 4Gb DDR3. Поддерживает тактовую частоту до 800 МГц (1600 Мбит/с), обеспечивая достаточную пропускную способность для задач обработки видеопотока и сетевых пакетов. Стабильная работа гарантируется в расширенном температурном диапазоне, что критично для промышленного применения.

Полупроводниковое устройство хранения данных стандарта DDR3 SDRAM обеспечивает высокоскоростной обмен информацией в цифровых схемах. Чип плотностью 4 Гбит организован как 512Mx8, что оптимизирует разводку печатной платы в компактных устройствах. Рабочее напряжение 1.35 В снижает энергопотребление и тепловыделение по сравнению со стандартными модулями 1.5 В. Компонент совместим с контроллерами памяти, поддерживающими режим DDR3L, что расширяет возможности модернизации существующих проектов. Корпус FBGA с 96 контактами предназначен для поверхностного монтажа и обеспечивает надежное соединение в условиях вибрации. Применяется в сетевом оборудовании, промышленных контроллерах и потребительской электронике. Технические параметры соответствуют спецификациям SK Hynix для серий 4Gb DDR3. Поддерживает тактовую частоту до 800 МГц (1600 Мбит/с), обеспечивая достаточную пропускную способность для задач обработки видеопотока и сетевых пакетов. Стабильная работа гарантируется в расширенном температурном диапазоне, что критично для промышленного применения.