Характеристики
Ёмкость накопителя
8000
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Форм-фактор
M.2 2280
TBW твердотельного накопителя
4800
Средняя наработка на отказ
1500000
Скорость последовательного чтения
14800
Скорость последовательной записи
13400
Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБа
2200000
Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБай
2600000
DRAM буфер
true
Тип памяти
V-NAND
SSD M.2 (PCI-E NVMe 2.0 Gen 5.0 x4) 8Tb Samsung 9100 PRO (R14800/W13400MB/s) with Heatsink, 1year
Название и характеристики заполняет поставщик. icubix их не переписывает —
у другого поставщика та же позиция может называться и описываться иначе (см. ниже).